非均相成核法制备纳米氧化铟锡粉体

SnO2是氧空位产生非化学整比性的宽带半导体，掺杂F、Sb元素后导电性能能提高几个数量级，形成n型半导体。ATO是锑掺杂二氧化锡（antimony doped tin oxide）具有优良的电学性质和光学性质。粉末作为抗静电材料广泛应用于涂料、化纤、造纸..