非均相成核法制备纳米氧化铟锡粉体

SnO2是氧空位产生非化学整比性的宽带半导体，掺杂F、Sb元素后导电性能能提高几个数量级，形成n型半导体。ATO是掺杂二氧化锡（antimony doped tin oxide）具有优良的电学性质和光学性质。粉末作为抗静电材料广泛应用于涂料、化纤、造纸、包装、建筑材料等方面，显示出比其他抗静电材料（石墨、表面活性剂、金属粉）更大的优越性。此外在光电显示器件，透明电极、太阳能电池、隔热窗、催化剂领域均有广泛的应用。我司采用的非均相成核法制备的纳米ATO导电粉体，粒径小，分布窄，无团聚，具有广泛应用